存储行业“遇冷”，三星电子还要故技重施？( 三 ) 撰文|田小梦编辑|李信马题图

在DRAM领域，三星电子为推进10nm范围以外的微缩，也在不断突破尝试。面向第一季度，三星表示，将继续通过积极解决LPDDR5x等高端产品的需求，及时为服务器和PC快速增长的DDR5需求做好准备，从而最大限度地减少任何不利影响。
以上两者，无论是技术上还是行业中都占有一席之地。但在先进制程上，三星电子却处于劣势。
与之相比的是台积电。三星电子于去年6月30日，在发布的新闻中称其基于3nm工艺节点的芯片已经开始初步生产，成为全球第一家实现3nm芯片量产的厂商。台积电则是在去年8月底宣布3nm即将量产。在时间上，三星电子占据了优势，尽管如此，但在过去几年的竞争中，因产品良率的问题受到诟病。
据BusinessNext采访报道，半导体行业分析师和专家估计，目前台积电的3nm良率可能在60%-70% ，最高在75%-80% 。相比之下，三星电子的3nm良率才10%-20% 。就目前而言，三星3nm芯片订单仅有自家的猎户座芯片，而苹果已经正式向台积电下了3nm芯片订单。
在最新的财报中，三星电子透露称， 3纳米第一代工艺目前正在大规模生产，产量稳定，根据第一代大规模生产经验， 3纳米第二代工艺的发展正在迅速发展。 2023年，三星将努力为3纳米第二代流程赢得新客户，专注于第一代2纳米流程的开发，并继续开发专业和成熟的流程，以便在汽车/物联网等应用程序中实现多样化。
【存储行业“遇冷”，三星电子还要故技重施？】由此可见，三星电子能否在先进制程中扭转局面，还需夯实自身实力。